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Electrical characterization of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by thermal admittance spectroscopy
Nguyen, Ngoc Duy; Schmeits, Marcel; Germain, Marianne et al.
2002International Workshop on Nitride Semiconductors
 

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Keywords :
InGaN; GaN; Quantum well; Electrical characterization; Admittance spectroscopy
Disciplines :
Physics
Author, co-author :
Nguyen, Ngoc Duy  ;  Université de Liège - ULiège > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures
Schmeits, Marcel;  Université de Liège - ULiège > Département de physique
Germain, Marianne;  Université de Liège - ULiège > Département de physique
Schineller, Bernd;  AIXTRON AG
Heuken, Michael;  AIXTRON AG
Language :
English
Title :
Electrical characterization of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by thermal admittance spectroscopy
Publication date :
2002
Event name :
International Workshop on Nitride Semiconductors
Event place :
Aachen, Germany
Event date :
22-25/7/2002
Audience :
International
Available on ORBi :
since 13 August 2010

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