Reference : Electrical characterization of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by thermal adm...

	Document type :	Scientific congresses and symposiums : Poster
	Discipline(s) :	Physical, chemical, mathematical & earth Sciences : Physics
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/2268/69108

Title :	Electrical characterization of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by thermal admittance spectroscopy
Language :	English
Author, co-author :	Nguyen, Ngoc Duy [Université de Liège - ULg > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures >]
	Schmeits, Marcel [Université de Liège - ULg > Département de physique > > >]
	Germain, Marianne [Université de Liège - ULg > Département de physique > > >]
	Schineller, Bernd [AIXTRON AG > > > >]
	Heuken, Michael [AIXTRON AG > > > >]
Publication date :	2002
Audience :	International
Event name :	International Workshop on Nitride Semiconductors
Event date :	22-25/7/2002
Event place (city) :	Aachen
Event country :	Germany
Keywords :	[en] InGaN ; GaN ; Quantum well ; Electrical characterization ; Admittance spectroscopy
Target :	Researchers ; Professionals
Permalink :	http://hdl.handle.net/2268/69108

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