Reference : Thermal admittance spectroscopy of Mg-doped GaN Schottky diodes

	Document type :	Scientific congresses and symposiums : Poster
	Discipline(s) :	Physical, chemical, mathematical & earth Sciences : Physics
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/2268/69104

Title :	Thermal admittance spectroscopy of Mg-doped GaN Schottky diodes
Language :	English
Author, co-author :	Nguyen, Ngoc Duy [Université de Liège - ULg > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures >]
	Germain, Marianne [Université de Liège - ULg > Département de physique > > >]
	Schmeits, Marcel [Université de Liège - ULg > Département de physique > > >]
	Schineller, Bernd [AIXTRON AG > > > >]
	Heuken, Michael [AIXTRON AG > > > >]
Publication date :	2001
Audience :	National
Event name :	Réunion Scientifique Générale de la Société Belge de Physique
Event date :	16-17/5/2001
Event place (city) :	Louvain
Event country :	Belgium
Keywords :	[en] Thermal admittance spectrosocopy; Mg-doped GaN; Schottky diode
Target :	Researchers ; Professionals
Permalink :	http://hdl.handle.net/2268/69104

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