Reference : Numerical Simulation of the Electrical Characteristics of GeSn/Ge Semiconducting Heteros...

	Document type :	Scientific congresses and symposiums : Poster
	Discipline(s) :	Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/2268/117951

Title :	Numerical Simulation of the Electrical Characteristics of GeSn/Ge Semiconducting Heterostructures
Language :	English
Author, co-author :	Baert, Bruno [Université de Liège - ULg > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures >]
	Nguyen, Ngoc Duy [Université de Liège - ULg > Département de physique > Physique des solides, interfaces et nanostructures >]
Publication date :	Jun-2012
Audience :	International
Event name :	"Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors
Event date :	du 8 au 15 juin 2012
Keywords :	[en] GeSn ; Numerical simulation ; Admittance spectroscopy
Permalink :	http://hdl.handle.net/2268/117951

	File(s) associated to this reference
	Fulltext file(s): File Commentary Version Size Access Open access jasz_2012.pdf Author postprint 174.74 kB View/Open

All documents in ORBi are protected by a user license.

 

© ULg Library Network |  Feedback |  ORBi legal notices

Dspace v1.5